Transistor tal-effett tal-kamp
Nov 05, 2019| Ibqa' Iċċarġja Sikur b'SChitec
Transistor tal-effett tal-kamp
It-tifsira ta '"effett tal-kamp" hija li l-prinċipju tax-xogħol ta' dan it-transistor huwa bbażat fuq l-effett tal-kamp elettriku tas-semikonduttur.
Field effect transistor Transistor li jaħdem fuq il-prinċipju tal-field effect. It-transistors tal-effett tal-kamp min-naħa tagħhom fihom żewġ tipi ewlenin: Junction FETs (JFETs) u Metal-Oxide Semiconductor FETs (MOS-FETs). B'differenza mill-BJT, il-FETs huma elettrikament konduttivi biss minn tip wieħed ta 'trasportatur (trasportaturi tal-maġġoranza) u għalhekk huma wkoll imsejħa transisters unipolari. Jappartjeni għal apparat semikonduttur ikkontrollat bil-vultaġġ u għandu l-vantaġġi ta 'reżistenza għolja ta' input, storbju baxx, konsum baxx ta 'enerġija, firxa dinamika kbira, integrazzjoni faċli, l-ebda tqassim sekondarju, u żona ta' ħidma sikura wiesgħa.
L-effett tal-kamp huwa li tbiddel id-direzzjoni jew il-kobor tal-kamp elettriku applikat perpendikolari mal-wiċċ tas-semikonduttur biex tikkontrolla d-densità jew it-tip ta 'trasportaturi tal-maġġoranza fis-saff konduttiv tas-semikondutturi (kanal). Huwa kurrent modulat bil-vultaġġ fil-kanal li l-kurrent operattiv tiegħu huwa ttrasportat minn trasportaturi tal-maġġoranza fis-semikondutturi. Tali transistor li fih tip wieħed biss ta 'trasportatur polari jipparteċipa fil-konduzzjoni jissejjaħ ukoll transistor unipolari. Meta mqabbel ma 'transisters bipolari, transisters b'effett ta' kamp għandhom il-karatteristiċi ta 'impedenza ta' input għolja, storbju baxx, frekwenza ta 'limitu għoli, konsum baxx ta' enerġija, proċess ta 'manifattura sempliċi u karatteristiċi ta' temperatura tajba. Jintużaw ħafna f'diversi ċirkwiti amplifikaturi, ċirkwiti diġitali u ċirkwiti microwave. Stenna. Transisters tal-effett tal-kamp tal-metall ibbażat fuq is-silikon 0-ossidu-semikondutturi (MOSFETs) u transistors tal-effett tal-kamp tal-barriera Schottky (MESFETs) ibbażati fuq l-arsenidu tal-gallju huma ż-żewġ transistors tal-effett tal-kamp l-aktar importanti. Huma l-apparat bażiku ta 'ċirkwiti integrati ta' veloċità ultra-għolja MOS LSI u MES.


